这些“神器”股能否为你创造财富？

根据最近的机构研究报告，为您总结相关行业的投资要点，供参考：

新兴应用场景对数据存储在容量、速度、功耗、成本、可靠性等层面提出更高要求，传统存储难破双墙阻碍，智联时代新型存储应运而生。以下是新型存储领域的投资要点：

PCRAM

PCRAM（相变存储器）可能解决存储器工艺的物理极限问题，成为未来通用的新一代半导体存储器件之一，但其对温度的高敏感度、存储密度过低、高成本、低良率等问题限制其大规模产业化。

MRAM

MRAM（磁存储器）的基本单位为磁隧道结（MTJ），独立式MRAM目前已经应用于航空、航天、军工等对可靠性要求较高的领域，但市场规模较小。嵌入式MRAM已成功进入MCU嵌入式系统，并逐步替代慢速SRAM成为工作缓存新方案。

ReRAM

ReRAM（可变电阻式存储器）有望替代eFlash，成长空间广阔。其中，独立式ReRAM目前在工业级小容量存储得到广泛应用，并在IoT领域逐步替代NORFLASH，嵌入式ReRAM目前已替代eFLash可用于模拟芯片内，技术长足发展后有望进入CPU作为最后一级高速缓存。

FeRAM

FeRAM具有非易失性、读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高等特点，但存储密度较低，容量有限，无法完全取代DRAM与NANDFlash。在对容量要求不高、读写速度要求高、读写频率高、使用寿命要求长的场景中拥有发展潜力。

四种新型存储优势各异

持久性方面，MRAM、FeRAM较高；存储密度方面，FeRAM较低，MRAM、PCM、RRAM较高；读写速度方面，FeRAM最快；读写功耗方面，PCM最高，MRAM、FeRAM、RRAM均较低；抗辐射方面，除MRAM外，其他均较高。

风险提示

技术进

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